In reply to Xingye Yin.

具体模型问题，建议详细描述问题并附上模型发送到Support系统，会有专业的工程师与您解答。
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In reply to Hao Li.

利用壳模块仿真时，压敏电阻区域的掺杂浓度如何定义，我在仿真类似惠斯通电桥压阻传感器时，用壳物理场，我发现我的电桥输出在0kpa的时候有0.08，应该没有定义压敏电阻处的掺杂浓度，材料库里的压阻材料是轻掺杂的

In reply to Xingye Yin.

云图图例是根据云图整体的最大和最小确定着色范围的，所以其图例也是以最大和最小值为基准的。这里不太理解您“显示的不是最小值，而是其中薄膜某一点的应力值在图例上”的含义，建议将您的问题详细描述或将原图发送到Support系统中，以帮助我们明确问题。//www.denkrieger.com/support

In reply to Hao Li.

这篇文章中，仿真得到的压敏电阻局部坐标系中的剪切应力图中，右边显示3、2、1、0*e7柱图中，我在comsol中将图例显示了最大最小值，然后我最近在复现一篇论文数据，其中仿真的薄膜应力图例中，显示的不是最小值，而是其中薄膜某一点的应力值在图例上，这个应该怎么设置

In reply to xingye yin.

可在数据集创建三维截点数据集，再计算该点的应力大小或可参考案例“压阻式压力传感器，壳”的绘图组“面内剪切应力（局部坐标系）”的方法，不同的方向的应力可直接在绘图表达式中替换，如solid.SlGp12表示“第二类皮奥拉-基尔霍夫应力，局部坐标系，12 分量”

仿真得到薄膜应力后，如何更改不同点来查看选取点的应力，横向和纵向应力应该如何绘图查看呢？

In reply to 广军 於.

1.是的，在该案例中材料的电导率和压阻耦合矩阵的值是随参杂数密度变化的。不知道您说的四个边角设置压阻材料是怎样布置的，您可以您的模型发送到我们的技术支持。
2.您提供的表达式中包含多个系数，这些系数分别代表什么？如果方便的话可以附上您参考的资料。
您可以通过技术支持中心或者邮箱附上您的模型和资料。
在线支持中心：www.denkrieger.com/support
Email: support@comsol.com

两个问题请教贵司：
1）“压阻耦合矩阵，Voigt 符号”中π矩阵均除以电导率sigma0，是否意味着改变p型掺杂浓度nd，即会改变π矩阵的值，从而导致压敏系数随浓度变化，最终导致电压信号输出变化。案例库中确实会因为nd变化，vout变化，但是常规的在4个边角设置压阻时，改变nd并不会使得vout变化，但是端子电流会变化。
2）sigma0=(N*e_const*0.048/sqrt(1+N/(N/81 +4e22)))，与课本上的sigma0=μp*nd(p)*q+μn*nd(n)*q不同，为何？
以上请帮忙解答，万分感谢

In reply to 少雄 邓.

您好！
感谢您的评论。

使用案例“压阻式压力传感器，壳”将“压阻耦合矩阵”的符号变为相反后，受压后电导率XX方向是变小的（改变前电导率是增大的），电流方向的改变是电阻改变的结果，您可直接在后处理>壳内电流>材料属性中直接查看电阻/电导的改变。

如果有进一步问题，建议您联系COMSOL的技术支持团队：
在线支持中心：www.denkrieger.com/support
Email: support@comsol.com
谢谢！

怎么仿真负压阻效应的材料啊，改变压阻耦合系数的正负号只能改变电流方向，不能把从受压电阻变大改为带电阻变小
How to simulate the negative piezoresistive effect of materials ah, change the piezoresistive coupling coefficient sign can only change the direction of the current, can not change the pressure resistance from greater to smaller resistance。thank you very much.