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本案例模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管，案例中将计算所得的正向偏压下的 J-V（电流密度 vs. 外加电压）曲线与文献中的实验测量结果进行了比较。扩展阅读

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ...扩展阅读

这是一个简单的萨格纳克干涉仪模型，干涉仪由排列成三角形的两个反射镜和一个分束器组成。整个建模域旋转；由于萨格纳克效应，三角形中沿相反方向传播的光线具有不同的光程长度，这可以用来推导系统的角速度。扩展阅读

这是一个简单但功能强大的仿真 App，用于设计由金属基板上的玻璃纳米柱阵列构成的二维反射超透镜。首先，App 中可以确定特定波长的最佳光栅参数，并计算纳米柱直径与相对相移之间的关系。然后 ...扩展阅读

这是刚体动力学的基准模型。 此模型模拟“Andrew 挤压机构”的动态特性，该机构是力驱动的，需要的时间尺度非常小，其中还将机构中的各种角与参考资料中的结果进行了比较。扩展阅读

声学液滴喷射是一种非接触、可控性强的液体处理方法，广泛应用于打印、生物医学、半导体组装和质谱分析等领域。常用的建模方法会假设声学与流动的时间尺度相互独立。首先，使用压力声学，频域 接口创建聚焦声场；随后，采用两相流 ...扩展阅读

外加电流阴极保护 (ICCP) 系统通常用在石油和天然气工业中减轻地下管道的腐蚀。ICCP 系统电流中的地下管道等金属物体可能受到杂散电流相互作用，从而导致腐蚀加速。 本教学案例演示地下管道的杂散电流腐蚀 ...扩展阅读

这个介绍性模型创建了一个简单的静电问题模型，其中包含两个无限长的同心圆柱体，这是教科书中常见的一个案例。由于这个问题有解析解，因此可以将理论结果与仿真的数值结果进行比较。这里考虑两种情况：一种是两个圆柱体上具有固定电位 ...扩展阅读

直拉法（Czochralski，CZ）是制备单晶硅的核心工艺之一。通过精准调控加热功率、拉速和晶体旋转速率，能够有效控制晶体的形状，尤其是其直径。 本模型演示了直拉法晶体生长炉的热分析过程。系统采用电加热器进行加热 ...扩展阅读

该模型提出了一种分析声学阻尼垫的方法。这些阻尼垫使用黏弹性材料制成的约束层来耗散能量，从而减少作为噪声辐射的能量。 阻尼垫在许多不同的行业中用来降低振动板产生的噪声，并提供一种轻量级的方法来降低某些应用中的噪声。 ...扩展阅读