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本模型演示如何通过二维模型使用“面外通量”特征来近似模拟薄域中的质量传递过程。为了验证这个二维近似的有效性，还求解了等效的三维模型。此外，模型中还说明了面外厚度对二维近似相对误差的影响 ...扩展阅读
碳化硅 (SiC) 外延炉是专为生产和制备 SiC 外延片而设计的核心设备。本示例模型演示基于物理气相传输 (PVT) 法制备 SiC 外延片的过程。通过感应线圈加热 SiC 粉末，当温度达到特定值后，粉末开始升华 ...扩展阅读
本例最大程度减少了通过 LiveLink™ 接口从 SOLIDWORKS® 同步的支架的质量。 其中给出了最低固有频率和静载荷工况下最大应力的极限，并通过改变多个几何特征的大小和位置来优化质量 ...扩展阅读
化学机械抛光 (CMP) 是一种关键的表面平坦化工艺，广泛应用于半导体制造和光学器件加工领域。 本模型耦合分析了 CMP 设备在抛光过程中，保持环内部的流场及研磨颗粒的运动。其中，抛光头的转动使用了冻结转子方法。扩展阅读
