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随着集成电路 (IC) 技术的不断进步，电路变得更加强大和紧凑，因此识别和防止电路故障的原因变得越来越重要。 导致电路故障的一个特别关键的因素是电路互连线中由金属内空位的积累引起的电迁移。 这种现象是指由电场、浓度 ... 扩展阅读
本教学案例演示在设计毫米波应用中常用的接地共面波导 (GCPW) 电路时，如何在物理场接口中设置端口特征。 扩展阅读
本例模拟一个静电驱动的 MEMS 谐振器。该装置由平行板电容器上施加的交流 + 直流偏压驱动。其中计算谐振器的吸合和释放电压。这是通过对从初始松弛状态一直到吸合平坦状态的整个运动范围的位移-电压轨迹执行准静态分析完成的。 扩展阅读
本模型分析了由悬挂在介电层上方的薄微机械桥构成的 RF MEMS 开关。在开关上施加大于吸合电压的直流电压时，机械桥塌向介电层，从而使器件的电容增大。模型中使用了基于罚函数的方法来模拟接触力 ... 扩展阅读
计算电磁学的一个典型基准示例是确定具有损耗壁的型腔的谐振频率和 Q 因子。这里，矩形、圆柱形和球形型腔的模型与解析解一致。 扩展阅读
共面波导 (CPW) 带通滤波器可以使用叉指电容器 (IDC) 和短路短截线电感器 (SSI) 来设计，这是一种非常有效的制造带通滤波器方法，很容易在砷化镓晶片上实现。 本教学案例给出了一种较谐振频率而言较紧凑的设计 ... 扩展阅读
环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
本模型演示如何执行模态分析，同时对长度介于 0.5 µm 到 4 µm 的波导进行参数化扫描，从而获得各向异性芯的色散曲线。本例采用两个不同的模型分析横向和纵向各向异性。 有关这两个模型的更多详细信息 ... 扩展阅读
